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基于纳米级HZO的随机变化：基于纳米级的铁电填充：读取优化和混合精度混合信号写入操作的协同方法，以减轻对DNN应用的影响
Stochastic Variations in Nanoscale HZO based Ferroelectric finFETs: A Synergistic Approach of READ Optimization and Hybrid Precision Mixed Signal WRITE Operation to Mitigate the Implications on DNN Applications
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论文摘要
本文通过部署高精度数字计算单元以及基于基于低精度的铁电机FinFET（Fe-Finfets（Fe-Finfets）的模拟矢量 - 静音乘数乘法块来减轻Hafnium oxirium Oxide（Hzo）基于FE-FINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFIN BLOCKING（HAFNIUM）基于FE-FINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFINFIN。
This paper reports a synergistic approach of READ and WRITE optimization by deploying a high-precision digital computation unit along with a low-precision ferroelectric finFET (Fe-finFETs) based analog vector-matrix multiplication block for mitigating the impact of stochastic device variations in hafnium zirconium oxide (HZO) based Fe-finFETs.
